ASML/台积电2nm确定用！NVIDIA带来芯片光刻技术大飞跃：提速40倍
作者：管理员 发布时间：2023-03-28 点击数：204
今晚（3月21日），NVIDIA春季GTC技术大会召开。作为NVIDIA炫技的主要舞台，新东西可谓眼花缭乱。
其中值得关注的一项是，NVIDIA宣布推出cuLitho软件加速库，可以将计算光刻的用时提速40倍。
所谓计算光刻就是为芯片生产制作光掩模的技术，掩膜是一种平面透明或半透明的光学元件，上面有芯片加工所需的图案，按照是否需要曝光将图案转移到光刻胶层上。光刻加工过程开始后，通过控制光刻机的曝光和开关操作，可以将光束根据掩膜上的图案进行分割和定位，使得光束只照射到需要曝光的区域，从而将芯片上的图案转移到光刻胶层上，实施芯片光刻。
因为每种芯片都要经历多次曝光，所以光刻中使用的掩膜数量不尽相同。NVIDIA H100（台积电4N工艺，800亿晶体管）需要89张掩膜，Intel的14nm CPU需要50多张掩膜。
此前“精雕细琢”的计算光刻依赖CPU服务器集群，现在NVIDIA表示，500套DGX H100（包含4000颗Hopper GPU）可完成与4万颗CPU运算服务器相同的工作量，但速度快40倍，功耗低9倍。
这意味着，GPU加速后，生产光掩模的计算光刻工作用时可以从几周减少到八小时。
黄仁勋透露，NVIDIA已经和ASML（荷兰阿斯麦）、台积电以及新思科技签署技术合作，新思甚至已经将该技术集成到其EDA工具中，将服务2nm甚至更高精度的制程。
NVIDIA认为，新技术可以实现更高的芯片密度和产量，按照更好的设计规则以及借助人工智能驱动光刻行业前进。
按照NVIDIA预估，未来几年高NA EUV光刻机应用后，掩膜制作的计算数据量将提升10倍以上，目前cuLitho软件加速库已经支持高NA EUV光刻可能用到的曲线掩膜、亚原子光致抗蚀剂掩膜等制造。
